Вы находитесь здесь: Главная > Диоды > Полупроводниковые диоды-2

Полупроводниковые диоды-2

Полупроводниковые диоды-2Светодиоды (электролюминесцентные диоды) конвертируют энергию электронного поля в нетепловое оптическое излучение, называемое электролюминесценцией. Основой светодиода является р-n-переход, смещаемый наружным источником напряжения в проводящем направлении. При таком смещении электроны из n-области полупроводника инжектируют в р-область, где они являются неосновными носителями, а дырки – во встречном направлении. В следующем происходит рекомбинация лишних неосновных носителей с электронными зарядами обратного знака. Рекомбинация электрона и дырки соответствует переходу электрона из энергетического уровня Ее в энергетическое состояние уровня Еу с наименьшим припасом энергии.

В германии и кремнии ширина нелегальной зоны сравнимо невелика и поэ-тому выделяемая при рекомбинации энергия передается в главном кристаллической решетке в виде тепла. Рекомбинационные процессы в арсениде галлия (GaAs), фосфиде галлия (GaP), карбиде кремния (SiC), имеющих огромную ширину нелегальной зоны (к примеру, для GaAs A? = 1,38 эВ), сопровождаются выделением энергии в виде квантов света, которые отчасти поглощаются объемом полупроводника, а отчасти излучаются в окружающее место. Потому наружный квантовый выход, закрепляемый визуально, всегда меньше внутреннего.

Полупроводниковые диоды-2Основными чертами светодиодов являются вольтамперная черта, также зависимости мощности и яркости излучения от величины прямого тока. Мощность и яркость излучения почти во всем определяются конструкцией светодиода. Чем больший ток можно пропускать через диодик при допустимом его нагреве, тем больше мощность и яркость излучения

Полупроводниковые диоды-2К главным характеристикам светодиода относятся мощность излучения Р, длина волны излучаемого света l и КПД. Длина световой волны, определяющая цвет свечения, находится в зависимости от разности энергий, меж которыми осуществляется переход электронов.

Светодиоды используются для индикации и вывода инфы в микроэлектронных устройствах. Управляемые светодиоды (с подвижной границей светящегося поля) употребляются для подмены стрелочных устройств как аналоги оптических индикаторов опции радиоаппаратуры. Светодиоды с несколькими светящимися полями позволяют воспроизводить числа от 0 до 9. Не считая того, светодиоды используются как источники излучения в оптронах – устройствах бурно развивающейся оптоэлектроники.

Туннельный диодик – это полупроводниковый диодик, в каком употребляется явление туннельного пробоя при включении в прямом направлении. Соответствующей особенностью туннельного диодика является наличие на прямой ветки вольтамперной свойства участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

Для примера на рис. 1.12 показана ровная ветвь вольтамперной свойства германиевого туннельного усилительного диодика 1И104А (Iпр. макс = 1 мА – неизменный прямой ток, Uобр. макс = 20 мВ), созданного для усиления в спектре волн 2…10 см (это соответствует частоте более 1 ГГц).

Рис. 1.12 ВАХ туннельного диодика

Общая емкость диодика в точке минимума свойства составляет 0,8&#8230-1,9 пФ. Туннельные диоды могут работать на очень больших частотах – более 1 ГГц. Наличие участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением на вольтамперной характеристике обеспечивает возможность использования туннельных диодов в качестве усилительного элемента и в качестве основного элемента генераторов. В текущее время туннельные диоды употребляются конкретно в этом качестве в области сверхвысоких частот.

  • Digg
  • Del.icio.us
  • StumbleUpon
  • Reddit
  • Twitter
  • RSS

Оставить комментарий

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: