Вы находитесь здесь: Главная > Транзисторы > Низкочастотные дифференциальные параметры транзистора-четырехполюсника — club155ru

Низкочастотные дифференциальные параметры транзистора-четырехполюсника — club155ru

Низкочастотные дифференциальные параметры транзистора-четырехполюсника - club155ruНизкочастотные дифференциальные характеристики транзистора-четырехполюсника Схемотехника — Конструирование схем

Если глубоко вдуматься в природу электрических процессов в полупроводниковых структурах, то оказывается, что полный нрав (Y)-, (Z)-, (H)-параметров транзисторов обоснован наличием определенных фазовых искажений, вносимых в сигнал при прохождении через прибор. Такие преломления вызываются разными причинами: конечной скоростью протекания физических процессов в полупроводниках, наличием зарядовых и диффузионных емкостей, паразитными связями, обусловленными конструкцией кристалла и корпуса полупроводникового прибора, и т. п.

Низкочастотные дифференциальные параметры транзистора-четырехполюсника - club155ruРазумеется, что воздействие всех этих причин при понижении частоты переменного сигнала будет убывать, а всеохватывающие характеристики будут стремиться к неким реальным значениям. Таким макаром, все дифференциальные характеристики на низких частотах можно считать действительными и надлежащие эквивалентные схемы транзисторов-четырехполюсников будут состоять из частей с действительными параметрами. Следует осознавать, что понятие «низкая частота» — это довольно относительный термин, абсолютное значение которого зависит сначала от определенного типа используемого транзистора и схемы его включения.

Принятым является обозначение реальных дифференциальных характеристик малыми знаками (y), (z), (h) и т. п.1 В документации на определенные приборы вместе с указанием тех либо других реальных характеристик также приводятся режимы их измерения (рабочая точка по неизменному току, частота и амплитуда переменной составляющей входного сигнала, схема включения). Для указания схемы включения транзистора, которой соответствуют характеристики, в дополнение к цифровому индексу добавляется соответственная буковка:

«э» либо «e» для схемы с ОЭ ((h_{21e}), (h_{12э}), (z_{21e}, …)-

«б» либо «b» для схемы с ОБ ((h_{21b}), (y_{12б}), (h_{12b}), …)-

«к» либо «c» для схемы с ОК ((z_{12c}), (y_{22к}), (h_{21c}), …).

К примеру, (h_{21б}) — в системе (h)-параметров транзистора-четырехполюсника действительный коэффициент передачи тока при маленьком замыкании выходной цепи, соответственный включению биполярного транзистора по схеме с ОБ.

В обозначениях реальных (низкочастотных) дифференциальных характеристик транзисторов существует некая неурядица. А именно, очень нередко (y)-параметры обозначаются буковкой (g), что отражает нрав величин, описываемых этими параметрами, — это проводимости. Также буковкой (g) с разными индексами обозначаются характеристики эквивалентных схем, имеющие размерности проводимостей (к примеру, в схеме Джаколетто).

< Предшествующая Последующая >

  • Digg
  • Del.icio.us
  • StumbleUpon
  • Reddit
  • Twitter
  • RSS

Оставить комментарий

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: