Вы находитесь здесь: Главная > Транзисторы > Гигантские транзисторы помогают intel бороться с токами утечек в soc overclockersru

Гигантские транзисторы помогают intel бороться с токами утечек в soc overclockersru

Гигантские транзисторы помогают intel бороться с токами утечек в soc overclockersru

Как мы и обещали, понемногу начинаем рассматривать информацию со стартовавшей вчера конференции International Electron Devices Meeting (IEDM). Слово предоставляется одному из ведущих разработчиков компании Intel — Марку Бору (Mark Bohr). Посреди остального, на конференции компания Intel поведала о деталях 22-нм «вертикальных» транзисторов, а именно — применительно к выпуску энергоэффективных SoC-сборок.

Микропроцессоры Ivy Bridge, как вы понимаете, вышли в «широкий прокат» в июне этого года. Тем Intel вывела в свет массовые решения на базе самого передового в мире техпроцесса с нормами 22 нм. Сборки на базе 22-нм кристаллов появятся только год спустя — в 2013 году. И не факт, что это произойдёт в первой половине нового года. По большенному счёту, разница меж 22-нм созданием Ivy Bridge и SoC не такая большая, но она есть. Заключается она в том, что для SoC более принципиальным является соблюдение наибольшей энергоэффективности и экономичности по потреблению.

Компания TSMC либо GlobalFoundries решают этот вопрос проще. У их есть, грубо говоря, два вида техпроцесса: один для высокопроизводительных решений (HP — обычно, в лице HKMG), 2-ой для малопотребляющих (LP). Компания Intel пошла другим оковём. Для понижения токов утечек, а конкретно с ними приходится биться по мере понижения масштаба техпроцесса, Intel употребляет несколько типов транзисторов.

Как надо из таблицы, длины затворов и размеры транзисторов для SoC могут приметно превосходить таковые для «чисто процессорных» транзисторов, как и напряжение для периферийных цепей может быть выше 3,3-5 вольт. Тем Intel конструктивно понижает паразитные токи утечек со 100 наноампер на мкм до 15-30 пикоампер на мкм. Что любопытно, такие же транзисторы компания употребляет в Ivy Bridge, но в более умеренных количествах. Часть блоков микропроцессора принесены в жертву производительности для сохранения баланса по потреблению. По большенному счёту разница меж 22-нм процессорной и SoC-архитектурой заключается в соотношении числа, условно говоря, high — и low-транзисторов. Преимущество данного подхода в том, что микропроцессоры для различных мотивированных ниш компания может выпускать на одном и том же производственном оборудовании без какой-нибудь серьёзной перенастройки.

Дополнительно практические тесты 22-нм FinFET проявили, что они по своим качествам превосходят планарные транзисторы на 20-65 %. Причём FinFET, вопреки опасениям, оказались безупречными для сотворения аналоговых цепей. Для данного типа внедрения свойства планарных транзисторов деградировали по мере понижения масштаба техпроцесса, а опыты с 22-нм FinFET проявили приемущество «аналоговых» параметров «вертикальных» транзисторов над 3-мя последними техпроцессами Intel, включая 65-нм. На вопрос из зала о сопоставлении 22-нм техпроцесса компании с 28-нм либо 20-нм техпроцессом TSMC представитель Intel ответил, что гласить о каких-либо достижениях соперников на фоне 22-нм фурроров Intel просто забавно. И, да, компания уже знает, как перевести архитектуры на 14-нм техпроцесс. Их тоже формально будет две: одна для микропроцессоров, другая — для SoC.

Оставить комментарий

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: