Вы находитесь здесь: Главная > Транзисторы > 216 составной транзистор схема дарлингтона

216 составной транзистор схема дарлингтона

216 составной транзистор схема дарлингтона

Если соединить транзисторы, как показано на рис. 2.60, то приобретенная схема будет работать как один транзистор, при этом его коэффициент &#946- будет равен произведению коэффициентов &#946- составляющих транзисторов. Этот прием полезен для схем, работающих с большенными токами (к примеру, для стабилизаторов напряжения либо выходных каскадов усилителей мощности) либо для входных каскадов усилителей, если нужно обеспечить большой входной импеданс.

Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.

В транзисторе Дарлингтона падение напряжения меж базой и эмиттером вдвое больше обыденного, а напряжение насыщения равно по последней мере падению напряжения на диодике (потому что потенциал эмиттера транзистора Т1 должен превосходить потенциал эмиттера транзистора Т2, на величину падения напряжения на диодике). Не считая того, соединенные таким макаром транзисторы ведут себя как один транзистор с довольно малым быстродействием, потому что транзистор T1 не может стремительно выключить транзистор Т2. С учетом этого характеристики обычно меж базой и эмиттером транзистора Т2 включают резистор (рис. 2.61). Резистор R предутверждает смешение транзистора Т2 в область проводимости за счет токов утечки транзисторов Т1 и Т2. Сопротивление резистора выбирают так, чтоб токи утечки (измеряемые в наноамперах для малосигнальных транзисторов и в сотках микроампер для массивных транзисторов) делали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диодике, и совместно с тем чтоб через него протекал ток. малый по сопоставлению с базисным током транзистора Т2. Обычно сопротивление R составляет несколько сотен ом в массивном транзисторе Дарлингтона и несколько тыщ ом в малосигнальном транзисторе Дарлингтона.

Рис. 2.61. Увеличение скорости выключения в составном транзисторе Дарлингтона.

Индустрия выпускает транзисторы Дарлингтона в виде законченных модулей, включающих, обычно, и эмиттерный резистор. Примером таковой стандартной схемы служит мощнейший n-p-n — транзистор Дарлингтона типа 2N6282, его коэффициент усиления по току равен 4000 (обычное значение) для коллекторного тока, равного 10 А.

216 составной транзистор схема дарлингтона

Соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Sziklai). Соединение транзисторов по схеме Шиклаи представляет собой схему, схожую той. которую мы только-только разглядели. Она также обеспечивает повышение коэффициента &#946-. Время от времени такое соединение именуют комплементарным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор n-p-n — типа, владеющий огромным коэффициентом &#946-. В схеме действует одно напряжение меж базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предшествующей схеме, равно по последней мере падению напряжения на диодике. Меж базой и эмиттером транзистора Т2 рекомендуется включать резистор с маленьким сопротивлением. Разработчики используют эту схему в массивных двухтактных выходных каскадах, когда желают использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример таковой схемы показан на рис. 2.63. Как и до этого, резистор представляет собой коллекторный резистор транзистора T1 Транзистор Дарлингтона, образованный транзисторами Т2 и Т3. ведет себя как один транзистор n-p-n — типа. с огромным коэффициентом усиления по току. Транзисторы Т4 и Т5, соединенные по схеме Шиклаи, ведут себя как мощнейший транзистор p-n-p — типа. с огромным коэффициентом усиления. Как и до этого, резисторы R3 и R4 имеют маленькое сопротивление. Эту схему время от времени именуют двухтактным повторителем с квазидополнительной симметрией. В реальном каскаде с дополнительной симметрией (комплементарном) транзисторы Т4 и Т5, могли быть соединены по схеме Дарлингтона.

216 составной транзистор схема дарлингтона

Рис. 2.62. Соединение транзисторов по схеме Шиклаи («дополняющий транзистор Дарлингтона»).

Рис. 2.63. Мощнейший двухтактный каскад, в каком применены выходные транзисторы только n-p-n — типа.

Транзистор со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току. Составные транзисторы — транзистор Дарлингтона и ему подобные — не следует путать с транзисторами со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току, в каких очень огромное значение коэффициента h21э получают в процессе технологического процесса производства элемента. Примером такового элемента служит транзистор типа 2N5962. для которого гарантируется малый коэффициент усиления по току, равный 450, при изменении коллекторного тока в спектре от 10 мкА до 10 мА — этот транзистор принадлежит к серии частей 2N5961-2N5963, которая характеризуется спектром наибольших напряжений Uкэ от 30 до 60 В (если коллекторное напряжение должно быть больше, то следует пойти на уменьшение значения C). Индустрия выпускает согласованные пары транзисторов со сверхбольшим значением коэффициента &#946-. Их употребляют в усилителях с низким уровнем сигнала, для которых транзисторы обязаны иметь согласованные характеристики — этому вопросу посвящен разд. 2.18. Примерами схожих стандартных схем служат схемы типа LM394 и МАТ-01- они представляют собой транзисторные пары с огромным коэффициентом усиления, в каких напряжение Uбэ согласовано до толикой милливольта (в самых не плохих схемах обеспечивается согласование до 50 мкВ), а коэффициент h21э — до 1%. Схема типа МАТ-03 представляет собой согласованную пару p-n-p — транзисторов.

216 составной транзистор схема дарлингтона

Транзисторы со сверхбольшим значением коэффициента &#946- можно соединять воединыжды по схеме Дарлингтона. При всем этом базисный ток смещения можно сделать равным всего только 50 пкА (примерами таких схем служат операционные усилители типа LM111 и LM316.

  • Digg
  • Del.icio.us
  • StumbleUpon
  • Reddit
  • Twitter
  • RSS

Оставить комментарий

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: